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STD28P3LLH6AG
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STD28P3LLH6AG技术资料
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STD28P3LLH6AG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
原厂封装:
DPAK
优势价格,STD28P3LLH6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STD28P3LLH6AG的技术资料下载
STD28P3LLH6AG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STD28P3LLH6AG
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET? H6
零件状态:有源
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):29nC @ 10V
Vgs(最大值):±18V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1480pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):33W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK
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