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STD35N3LH5
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STD35N3LH5技术资料
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STD35N3LH5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
原厂封装:
DPAK
优势价格,STD35N3LH5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STD35N3LH5的技术资料下载
STD35N3LH5的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STD35N3LH5
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:STripFET V
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):35A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 15A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):725pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):35W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK
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