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STE26NA90
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STE26NA90技术资料
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STE26NA90
场效应管模块
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
原厂封装:
ISOTOP
优势价格,STE26NA90的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STE26NA90的技术资料下载
STE26NA90的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STE26NA90
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):26A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):300 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.75V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):660nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1770pF @ 25V
功率 - 最大值:450W
安装类型:底座安装
ST公司封装:ISOTOP
ST出厂封装:ISOTOP
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