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STE70NM60
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STE70NM60技术资料
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STE70NM60
场效应管模块
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
原厂封装：
ISOTOP
优势价格，STE70NM60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STE70NM60的技术资料下载
STE70NM60的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STE70NM60
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
系列：MDmesh?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：70A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：266nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7300pF @ 25V
功率 - 最大值：600W
安装类型：底座安装
ST公司封装：ISOTOP
ST出厂封装：ISOTOP
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