STF18NM60ND

STF18NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡，其核心在于通过精密的单元布局和工艺控制，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），从而提升了整体能效。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、6.5A漏极电流条件下的典型导通电阻低至290毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，34nC（典型值）的低栅极电荷（Q_g）与1030pF的输入电容（C_iss）相结合，使得开关速度更快，开关损耗得以有效控制，尤其适合高频开关应用。

器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于在PCB上实现稳固的机械固定和高效的热管理。其结温（T_J）最高可承受150°C，在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）额定值为13A，最大功率耗散为30W，展现了良好的功率处理能力。栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，为驱动电路设计提供了灵活性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通与开关损耗的特性，STF18NM60ND非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动与逆变器、以及不间断电源（UPS）等。其设计在提升系统功率密度的同时，也有助于满足日益严格的能效标准。

• 型号:STF18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF18NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（V_DSS）和13A的连续漏极电流（I_D），采用TO-220FP通孔封装。

其技术优势主要体现在优异的开关性能与导通特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为290毫欧，配合低至34nC的栅极电荷（Q_g），有效降低了传导与开关损耗。这些特性使其成为高效率开关电源、电机控制及功率转换应用的理想选择。