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STFI11NM65N
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STFI11NM65N技术资料
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STFI11NM65N
单端场效应管
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
原厂封装：
I2PAKFP
优势价格，STFI11NM65N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STFI11NM65N的技术资料下载
STFI11NM65N的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STFI11NM65N
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
系列：MDmesh II
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：455 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 50V
功率 - 最大值：25W
安装类型：通孔
ST公司封装：TO-262-3 整包， I2Pak
ST出厂封装：I2PAKFP （281）
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