STFI34N65M5

STFI34N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式I2PAKFP（TO-281）封装，专为要求高耐压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和栅极设计，在650V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间出色的平衡，这对于降低开关损耗和传导损耗至关重要。

该器件在25°C壳温（Tc）下可提供高达28A的连续漏极电流，其导通电阻在10V驱动电压、14A电流条件下典型值仅为110毫欧，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，其最大栅极电荷被控制在62.5nC（@10V），这有助于简化栅极驱动电路设计，并实现更快的开关速度，从而提升系统整体频率和功率密度。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度，而高达150°C的结温（TJ）则保证了其在严苛热环境下的可靠运行。

在接口与参数方面，STFI34N65M5的输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为2700pF，这一特性与较低的Qg共同决定了其动态性能。其阈值电压Vgs(th)最大为5V（@250A），属于标准逻辑电平驱动范畴。该器件在壳温条件下的最大功率耗散为35W，设计时需结合有效的散热方案以充分发挥其性能。对于关键物料采购，建议通过官方ST授权代理渠道，以确保产品的正宗来源和供货稳定性。

得益于其高耐压、低损耗和良好的开关特性，这款MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动、UPS（不间断电源）以及电焊机等中高功率应用场景。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定生命周期较长的产品设计中，它依然是一个经过市场验证的高性能解决方案，体现了MDmesh V系列在平衡效率与鲁棒性方面的技术优势。

• 型号:STFI34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI34N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，封装形式为I2PAKFP（TO-281）。该器件核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和28A连续漏极电流（Tc），为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧（@14A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在62.5nC（@10V），有利于实现高速开关并减少开关损耗。结合其150°C的最高结温（TJ），该器件旨在提升中高功率开关电源、电机驱动等系统的效率和功率密度。