STL36N60DM6

STL36N60DM6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺技术，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低高频开关应用中的导通损耗和开关损耗，为高效率功率转换系统提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压环境下的可靠工作与安全裕量。在25°C壳温条件下，器件可连续通过高达15A的漏极电流，并支持110W的功率耗散能力，展现了强大的电流处理与散热性能。其导通电阻在10V栅极驱动电压、7.5A测试条件下典型值仅为215毫欧，有效减少了功率传输路径上的损耗。同时，极低的栅极电荷（典型值24nC @ 10V）和输入电容特性，使得开关速度更快，驱动电路的设计更为简化，有助于提升系统整体频率和效率。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型的PowerFlat HV（8x8）封装，这种紧凑的封装形式不仅优化了热性能，便于散热管理，也节省了宝贵的PCB空间。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了应用的灵活性。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高压、高效、高功率密度的特点，STL36N60DM6非常适用于要求苛刻的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）级和DC-DC转换器主开关的理想选择，尤其适用于服务器电源、通信电源等高效能系统。此外，在电机驱动与控制领域，如变频器、伺服驱动器以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，该器件也能充分发挥其低损耗优势，助力实现高能效、高功率密度的系统设计。

• 型号:STL36N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL36N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件采用先进的PowerFlat HV封装，在紧凑的尺寸下提供了优异的散热性能。

其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id），确保了在高压大电流应用中的可靠性。关键性能指标如低至215毫欧的导通电阻（Rds(on)）以及仅24nC的栅极电荷（Qg），共同实现了低导通损耗与高开关频率的优异平衡，显著提升系统能效。

该MOSFET工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于工业级环境，主要面向高效率开关电源、电机驱动及光伏逆变器等对功率密度和效率有严苛要求的应用领域。