STW36N55M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的一员，STW36N55M5是一款采用N沟道垂直扩散MOSFET（VDMOS）技术的功率开关器件。该芯片的核心架构基于先进的MDmesh V技术平台，该平台通过优化单元结构和垂直掺杂剖面，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡。这种设计使得器件在硬开关和软开关拓扑中均能表现出优异的性能，有效降低了传导损耗和开关损耗，从而提升了整体系统的能效。

该器件具备550V的漏源击穿电压（V_DSS），为其在高压离线式应用中提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达33A，结合最大仅80毫欧的导通电阻（在16.5A，10V条件下），确保了在导通状态下极低的功率耗散。其栅极驱动特性同样突出，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，而栅极电荷（Q_{g）在10V驱动下最大仅为62nC，这有助于简化驱动电路设计，并实现快速、高效的开关切换，减少开关过程中的损耗。}

在接口与关键参数方面，STW36N55M5采用标准的TO-247通孔封装，便于安装和散热管理。其最大栅源电压（V_GS）为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。器件的热性能参数同样重要，其最大结温（T_J）为150°C，在壳温条件下最大功耗可达190W，这要求在实际应用中配合适当的散热方案以充分发挥其性能潜力。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关产品信息与支持服务。

基于其高压、大电流和低损耗的特性，该MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）应用，例如服务器电源、通信电源和工业电源的功率因数校正（PFC）电路及DC-DC变换器主开关。此外，它也适用于电机驱动、不间断电源（UPS）以及高频焊接设备等工业控制领域。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在现有系统的维护或特定设计中仍具有参考价值。

• 型号:STW36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 33A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW36N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，属于其高性能MDmesh V系列。该器件核心优势在于其550V的漏源电压（V_DSS）和33A的连续漏极电流（I_D）额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为80毫欧，同时栅极电荷（Q_g）最大值为62nC。这一特性显著降低了传导损耗和开关损耗，有助于提升开关电源等应用的效率和功率密度。器件支持高达150°C的结温工作，具备良好的热性能。