STFI14N80K5

作为ST意法半导体MDmesh K5系列的一员，STFI14N80K5是一款采用先进超结技术的高压N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和创新的多层外延工艺，旨在显著降低单位面积下的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而在高压开关应用中实现更低的传导损耗和开关损耗。该器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，提供了良好的功率处理能力和散热特性。

该MOSFET的突出特性在于其800V的漏源击穿电压（Vdss）与低至445毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色平衡。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为12A，最大功率耗散为30W，确保了在苛刻环境下的稳定运行。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC @ 10V，这有助于简化驱动电路设计并提升开关频率，降低系统整体功耗。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST代理商获取详细的技术支持与供应链服务。

在电气参数方面，STFI14N80K5展现了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），适用于工业级应用场景。其输入电容（Ciss）在100V偏压下最大值为620pF，结合较低的Qg，共同优化了开关动态性能。器件栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了足够的驱动安全裕量。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格仍代表了高压MOSFET设计的一个重要参考点。

基于其高压、低损耗的特性，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等场合。其稳健的设计旨在帮助工程师应对高电压环境下的功率转换挑战，实现系统能效与功率密度的提升。

• 型号:STFI14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI14N80K5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用通孔I2PAKFP（TO-281）封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的开关性能与导通特性平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为445毫欧 @ 6A，同时栅极总电荷（Qg）控制在22nC以内。这些参数共同作用，旨在显著降低功率转换过程中的传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。该器件适用于开关电源、工业控制等对高压处理能力和能效有较高要求的领域。