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P6KE200A的图片

P6KE200A

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
原厂封装:封装:DO-204AC(DO-15)
优势价格,P6KE200A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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P6KE200A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

P6KE200A是ST意法半导体推出的P6KE系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品。该器件采用经典的轴向引线DO-15(DO-204AC)封装,其核心是一个基于硅半导体工艺的单向齐纳二极管结构。这种架构使其在反向偏置时,能够精确地响应并钳制超过其击穿电压的瞬态过压尖峰,从而为后级敏感电路提供可靠的保护。其设计重点在于实现极快的响应速度(通常在皮秒级)和强大的浪涌能量吸收能力,这是应对ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变脉冲群)以及感应负载开关等常见瞬态威胁的关键。

该器件的功能特性围绕其卓越的浪涌抑制能力展开。其标称反向关断电压(VWM)为171V,最小击穿电压(VBR)为190V,这使其适用于工作电压在此范围内的直流线路保护。当遭遇高能瞬态脉冲时,它能迅速动作,将线路电压钳位在最高353V的水平,有效防止被保护器件因过压而损坏。其峰值脉冲功率处理能力高达600W(10/1000s波形),峰值脉冲电流可达11.3A(8/20s波形),展现了强大的单次或重复性浪涌能量吸收性能。此外,其电容值在1MHz下典型值为350pF,这一特性使其在多数通用电路中不会对信号完整性造成显著影响,平衡了保护性能与电路正常工作的需求。

在电气参数方面,P6KE200A定义了清晰的工作边界。171V的反向关断电压确保了其在电路正常工作时处于高阻态,功耗极低。一旦瞬态电压超过190V的击穿阈值,器件立即进入低阻抗的雪崩击穿状态,通过分流大电流将电压箝位。其353V的最大箝位电压(VC)为后端电路的设计提供了明确的过压安全上限。轴向通孔封装形式使其易于在PCB板上安装,适合通过波峰焊或手工焊接进行生产。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以联系ST中国代理获取官方渠道的产品与咨询服务。

基于其通用型的保护定位和稳健的参数性能,P6KE200A广泛应用于各类需要过压保护的电子设备中。典型应用场景包括工业控制系统的交流/直流电源输入端口、通信设备的电源线、汽车电子中的负载突降保护,以及任何使用171V左右电压等级的电源总线或信号线路。它能够有效抑制由雷击感应、感性负载切换或静电放电引起的瞬态过电压,提升整个电子系统的可靠性与鲁棒性,是工程师在设计电源保护和接口防护电路时的一个经典且可靠的选择。

  • 型号:P6KE200A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-204AC(DO-15)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):171V
  • 电压 - 击穿(最小值):190V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):353V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):11.3A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:350pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向
  • 供应商器件封装:DO-204AC(DO-15)
  • 想获取P6KE200A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

P6KE200A是ST意法半导体生产的一款600W峰值功率的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于其TRANSIL产品系列。该器件采用DO-15轴向封装,核心功能是为电压等级在171V(反向关断电压)左右的电路提供高效的过压保护。

其技术核心在于强大的浪涌处理能力,最小击穿电压为190V,并能将瞬态过压尖峰钳位在最高353V,从而保护后端敏感元器件。该器件可承受高达11.3A(8/20s)的峰值脉冲电流,适用于抑制ESD、EFT及各种感应开关浪涌,是一款通用性极强的电路保护解决方案。

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