STFH10N60M2

意法半导体推出的STFH10N60M2是一款采用先进MDmesh M2技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单晶硅上实现了卓越的电荷平衡，其核心优势在于显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM）。这一架构革新使得器件在保持高阻断电压能力的同时，开关损耗得以大幅降低，为高效率功率转换应用奠定了坚实的物理基础。

得益于MDmesh M2技术，该MOSFET展现出多项关键电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中工作的可靠性。在10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为600毫欧（@9A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）典型值较低，约为13.5nC（@10V），结合400pF的输入电容（Ciss @100V），意味着所需的栅极驱动能量更小，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率，从而减小磁性元件的体积。

该器件采用TO-220FP绝缘封装，这种封装形式提供了良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为25W（Tc）。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。在接口层面，它作为标准的三端器件，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，最大栅源电压为±25V，为驱动电路的设计提供了明确的电压窗口。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

基于其高压、低导通损耗和快速开关的特性，STFH10N60M2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明领域的LED驱动电源、工业电机驱动辅助电源以及不间断电源（UPS）系统中的功率转换级。在这些应用中，它能够帮助系统设计者实现更高的能效标准，并满足日益严格的空间限制要求。

• 型号:STFH10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FPAB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FPAB
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFH10N60M2是ST意法半导体MDmesh产品系列中的一款有源N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于应用了MDmesh M2技术，实现了低至600毫欧（@9A，10V）的导通电阻与13.5nC（@10V）的低栅极电荷的优异组合。这一特性使其在导通损耗和开关损耗之间取得了良好平衡，有助于提升系统整体效率。结合其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），该器件是设计高效、紧凑型开关电源和功率转换电路的理想选择。