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TSZ122IDT

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集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC OPAMP ZER-DRIFT 2CIRC 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TSZ122IDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TSZ122IDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TSZ122IDT是ST意法半导体推出的一款双通道、零漂移运算放大器,采用先进的CMOS工艺和自稳零(Auto-Zero)架构设计。该架构通过周期性地采样和校正输入失调电压,从根源上消除了传统运算放大器随时间、温度变化而产生的直流误差,为实现高精度直流和低频信号调理提供了坚实的基础。其内部集成了两个完全独立的运算放大器通道,每个通道均具备完整的自稳零校正电路,确保了在双通道应用下依然能维持卓越的匹配性和稳定性。

该器件的核心优势在于其极低的输入失调电压(1V)和近乎为零的失调电压温漂,这使其在需要长期稳定性和高直流精度的应用中表现出色。同时,极低的输入偏置电流(70pA)有效降低了对信号源阻抗的敏感度,减少了由偏置电流引起的误差,特别适合与高阻抗传感器(如光电二极管、pH电极)直接接口。其供电范围覆盖1.8V至5.5V(单电源)或±0.9V至±2.75V(双电源),并支持满摆幅(Rail-to-Rail)输入与输出,能够在低压单电源系统中最大化动态信号范围,提升系统信噪比。

在电气参数方面,TSZ122IDT在提供400kHz增益带宽积和0.19V/s压摆率的同时,保持了极低的静态功耗,每通道供电电流典型值仅为31A,实现了性能与功耗的优异平衡。其输出级能够持续提供高达18mA的电流,具备良好的负载驱动能力。该器件符合AEC-Q100标准,工作温度范围覆盖-40°C至125°C的严苛工业与汽车环境,采用标准的8引脚SOIC封装,便于集成到各类表面贴装设计中。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

基于上述特性,该芯片非常适合应用于对精度和稳定性要求极高的领域。在工业自动化中,可用于桥式传感器(如压力、称重传感器)的信号放大、精密电流检测以及高分辨率数据采集系统的前端调理。在汽车电子领域,其符合车规级的可靠性使其能够胜任电池管理系统(BMS)中的电流/电压监测、发动机控制单元(ECU)的传感器接口等任务。此外,在便携式医疗设备(如血糖仪、便携式监护仪)、测试测量仪器以及需要长时间稳定工作的消费类电子产品中,它也是实现高精度模拟信号处理的关键元件。

  • 型号:TSZ122IDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP ZER-DRIFT 2CIRC 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:零漂移
  • 电路数:2
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:0.19V/s
  • 增益带宽积:400 kHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:70 pA
  • 电压 - 输入补偿:1 V
  • 电流 - 供电:31A(x2 通道)
  • 电流 - 输出/通道:18 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):1.8 V
  • 电压 - 跨度(最大值):5.5 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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TSZ122IDT是ST意法半导体生产的一款双通道、零漂移运算放大器,属于Automotive, AEC-Q100系列,采用8-SOIC封装。该器件基于零漂移(自稳零)技术,实现了极低的输入失调电压(1V)和极低的输入偏置电流(70pA),从根本上保证了出色的直流精度和长期稳定性。

其工作电压范围宽泛,支持1.8V至5.5V单电源或±0.9V至±2.75V双电源供电,并具备满摆幅输入与输出特性,非常适合低压单电源系统。在提供400kHz增益带宽积的同时,每通道静态电流典型值仅为31A,在性能与功耗间取得了良好平衡。其工作温度范围为-40°C至125°C,满足汽车及工业应用的严苛环境要求。

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