USBP01-5M8

USBP01-5M8是ST意法半导体推出的一款专为USB端口设计的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列。该器件采用紧凑的8引脚UQFN封装，集成了5个独立的单向保护通道，为多数据线提供全面的轨至轨ESD和浪涌保护。其核心架构基于优化的硅基TVS技术，每个通道均集成有高速箝位二极管，旨在将瞬态过压事件快速、可靠地引导至地线，从而保护下游敏感的集成电路免受损坏。

该器件的一个显著功能特点是其极低的线路电容，典型值仅为0.2pF（在200MHz至3GHz频率范围内测量）。这一特性对于维持高速数据信号的完整性至关重要，使其能够在不引起信号衰减或畸变的情况下，无缝应用于USB 2.0乃至更高速率的接口保护。其反向断态电压为3V，略高于标准USB电源电压，确保了在正常工作条件下呈现高阻态，不影响电路功能。同时，该器件能够耗散高达200W的峰值脉冲功率，提供强大的瞬态能量吸收能力。

在接口与参数方面，USBP01-5M8设计用于保护多达5条线路，例如USB接口的D+、D-、VBUS及ID等信号线。它支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，适用于严苛的环境。其表面贴装型封装（8-XFDFN）便于自动化生产，节省电路板空间。作为一款通用型保护器件，它尤其适用于需要高水平ESD防护的便携式和消费电子设备。用户可通过ST授权代理获取该产品的技术支持和供应链服务。

在应用场景上，这款TVS二极管阵列是智能手机、平板电脑、数码相机、便携式媒体播放器等设备中USB端口的理想保护解决方案。它能有效抵御人体放电模型（HBM）和充电器件模型（CDM）等ESD事件，以及由热插拔或电感负载开关引起的电气快速瞬变（EFT），显著提升终端产品的可靠性和耐用性，满足相关电磁兼容性（EMC）标准的要求。

• 型号:USBP01-5M8
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-QFN（1.7x1.35）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 3VWM 8UQFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 类型:转向装置（轨至轨）
• 单向通道:5
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:3V
• 电压 - 击穿（最小值）:-
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
• 功率 - 峰值脉冲:200W
• 电源线路保护:是
• 应用:通用
• 不同频率时电容:0.2pF @ 200MHz ~ 3GHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-XFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-QFN（1.7x1.35）
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USBP01-5M8是ST意法半导体生产的一款TVS二极管阵列，采用8-UQFN封装，专为USB端口的多线路保护而优化。该器件集成了5个单向保护通道，提供轨至轨的ESD和浪涌防护，其反向断态电压为3V，峰值脉冲功率处理能力达200W。

其核心优势在于极低的线路电容（典型值0.2pF @ 200MHz~3GHz），确保在提供强大过压保护的同时，对USB 2.0等高速数据信号的完整性影响微乎其微。器件工作温度范围宽（-55°C ~ 150°C TJ），采用表面贴装形式，适用于对可靠性和空间有严苛要求的通用型消费电子应用。