STL13DP10F6

STL13DP10F6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用先进工艺的双P沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8-PowerVDFN封装，属于STripFET VI产品系列，并集成了DeepGATE技术，旨在为高密度电源管理和电机驱动应用提供高效、可靠的解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关性能和传导损耗之间实现了出色的平衡。

该芯片集成了两个独立的P沟道MOSFET，每个通道在25°C环境温度下可连续承受高达13A的漏极电流，漏源击穿电压（Vdss）为100V，确保了在多种电压平台下的应用鲁棒性。作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，这意味着它可以被常见的3.3V或5V微控制器逻辑电平直接、高效地驱动，简化了前级驱动电路的设计。其导通电阻（RDS(on)）在10V Vgs和1.7A Id条件下典型值仅为180毫欧，这一低导通特性对于减少功率损耗、提升系统整体效率至关重要。同时，在10V Vgs下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为16.5nC，结合864pF的输入电容（Ciss），使得开关速度极快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。

在接口与热性能方面，其表面贴装型PowerVDFN封装（也称为PowerFLAT 5x6）具有极低的热阻和卓越的散热能力，最大功耗可达62.5W。紧凑的封装尺寸非常适合空间受限的现代电子设备。其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在苛刻工业环境下的稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其双通道、高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，STL13DP10F6非常适用于需要高效率同步整流的DC-DC转换器、电机H桥驱动电路、负载开关以及电池保护电路等场景。在服务器电源、工业自动化设备、电动工具和汽车辅助系统等领域，它能够有效提升功率密度和能源效率，是工程师设计高性能功率系统的优选器件之一。

• 型号:STL13DP10F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 1.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 25V
• 功率 - 最大值:62.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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STL13DP10F6是ST意法半导体推出的一款双P沟道功率MOSFET阵列，采用先进的STripFET VI技术和PowerVDFN封装。该器件专为高密度、高效率的功率开关应用而设计，每个通道提供100V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）能力。

其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)典型值180mΩ @ 10V）和栅极电荷（Qg最大值16.5nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。作为逻辑电平门器件，它可直接由低压微控制器驱动，简化了电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和62.5W的功率处理能力，使其能够胜任严苛的工业环境应用。