STP24N60DM2

STP24N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高压开关应用提供卓越的能效和可靠性。其核心架构通过精细的单元布局和创新的沟槽栅技术，在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这一特性对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和18A的连续漏极电流（I_D）能力，为处理高功率应用提供了坚实的电压和电流余量。其导通电阻在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下典型值仅为200毫欧，较低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，器件拥有优化的动态特性，栅极总电荷（Q_g）典型值仅为29nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简洁、高效的栅极驱动电路，从而实现更高频率的开关操作。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温（T_J）可达150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了较强的抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。这些电气与物理参数的平衡设计，使其在效率、功率密度和成本之间取得了优秀的折衷。

基于其高性能指标，STP24N60DM2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动与控制的逆变器桥臂、不同断电源（UPS）系统以及高效照明（如LED驱动）的功率级。在这些场景中，其低导通损耗和良好的开关特性有助于提升系统能效，降低热管理复杂度，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键元器件。

• 型号:STP24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP24N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心参数包括600V的漏源电压（V_dss）和25°C下18A的连续漏极电流（I_d）能力，提供了坚实的功率处理基础。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为200毫欧，同时栅极电荷（Q_g）典型值低至29nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的结合，有效降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为150W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在广泛工业环境中的可靠性与耐用性。