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ST13003DN

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 1A SOT-32-3
原厂封装:封装:SOT-32-3
优势价格,ST13003DN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ST13003DN的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST13003DN是ST意法半导体推出的一款高压双极性结型晶体管(BJT),采用NPN型结构,封装形式为TO-225AA(亦称TO-126-3),是一款经典的直插式功率器件。其核心设计旨在处理高达400V的集电极-发射极电压,同时能够承载1A的连续集电极电流,这使其在需要中等功率处理能力和高耐压的离线式开关电路中表现出色。器件内部结构优化了载流子传输路径,以在高压下维持稳定的工作状态。

该晶体管具备多项关键电气特性。其集电极-发射极饱和压降在典型工作条件下(如Ic=1A, Ib=330mA)被控制在1.2V以下,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升整体能效。其直流电流增益(hFE)在Ic=500mA、Vce=2V的条件下最小值为6,这一参数表明它在高电流区域仍能提供足够的驱动能力,适合作为开关使用。最大功耗能力达到20W,结合高达150°C的结温(TJ)工作范围,赋予了其良好的热稳定性和鲁棒性,能够在环境较为苛刻的应用中可靠运行。

在接口与参数方面,ST13003DN采用标准的三引脚通孔封装,便于在PCB板上安装和散热。其集电极截止电流最大值为1mA,确保了在关断状态下的低泄漏特性。虽然该器件未标注明确的跃迁频率参数,但其设计重点明确指向低频开关和线性放大应用。对于需要采购此型号的工程师,可以通过授权的ST代理商获取原厂技术支持与库存信息,尽管该产品目前已处于停产状态,但在许多现有设计和备件替换中仍有需求。

基于其400V的高耐压和1A的电流处理能力,ST13003DN非常适合应用于各类离线式电源转换器,如电磁炉、小功率开关电源(SMPS)的功率开关级、电子镇流器以及电机驱动电路中的驱动和开关元件。它在电路中常扮演着关键的能量控制角色,将高压直流或经整流的交流电进行高效的开关转换,为后续低压电路提供稳定的能量来源。

  • 型号:ST13003DN
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 1A SOT-32-3
  • 系列:-
  • 包装:袋
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.2V @ 330mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):6 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大值:20 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32-3
  • 想获取ST13003DN的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ST13003DN是ST意法半导体生产的一款NPN型高压双极性晶体管,采用TO-126-3(TO-225AA)通孔封装。该器件核心参数包括400V的集射极击穿电压和1A的最大集电极电流,使其能够胜任中高压环境下的功率开关任务。

其电气特性突出表现为较低的饱和压降(最大1.2V @ 1A)和20W的最大功耗能力,这有助于提升能效并保证在高温环境下的稳定运行。该晶体管设计用于要求高耐压和中等电流处理能力的开关应用,是离线式电源和功率控制电路中的经典选择。

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