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2STF1360

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
原厂封装:封装:SOT-89-3
优势价格,2STF1360的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2STF1360的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST意法半导体推出的2STF1360是一款采用SOT-89(TO-243AA)表面贴装封装的高性能NPN双极性晶体管(BJT)。该器件基于成熟的硅基工艺构建,其核心架构旨在实现高电流驱动能力与快速开关特性的平衡。内部结构经过优化,确保了在宽泛的工作条件下具备稳定的电气性能和出色的热管理能力,其结温(Tj)最高可达150°C,为设计提供了充裕的余量。

在功能特性上,2STF1360展现出卓越的综合性能。其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达60V,集电极连续电流(IC)额定值为3A,使其能够胜任中高功率的开关与线性放大应用。尤为突出的是其低饱和压降特性,在IC=3A、IB=150mA的条件下,VCE(sat)典型值仅为500mV,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时,器件具有高达130MHz的过渡频率(fT),保证了其在音频至中频范围内的良好频率响应,适用于需要一定开关速度或信号放大带宽的场合。

该晶体管的直流电流增益(hFE)在IC=1A、VCE=2V时最小值为160,提供了良好的电流放大能力,有助于简化驱动电路设计。其集电极截止电流(ICBO)最大仅为100nA,体现了优异的关断特性。最大功耗为1.4W,结合SOT-89封装良好的热传导路径,使其在紧凑的PCB布局中也能可靠工作。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的供应链服务与设计资源。

凭借其60V/3A的耐压与电流能力低VCE(sat)以及良好的频率特性,2STF1360非常适合应用于多种场景。在电源管理领域,常被用于DC-DC转换器、线性稳压器的调整管或电机驱动电路中的预驱动级。在消费电子和工业控制中,它可用于继电器驱动、LED照明驱动、音频功率放大输出级以及各类负载开关。其表面贴装形式也顺应了现代电子产品小型化、高密度组装的发展趋势。

  • 型号:2STF1360
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-89-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 150mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大值:1.4 W
  • 频率 - 跃迁:130MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89-3
  • 想获取2STF1360的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2STF1360是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管,采用SOT-89表面贴装封装。其核心规格包括60V的集射极击穿电压和3A的连续集电极电流,为设计中高功率电路提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其高效率与良好的动态性能。其集电极-发射极饱和压降最大仅为500mV(@3A, 150mA),显著降低了导通状态下的功率损耗。同时,130MHz的过渡频率确保了其在开关应用和一定带宽的信号放大应用中能保持快速响应。最小160的直流电流增益(@1A, 2V)简化了驱动电路设计。

综合其1.4W的最大功耗、150°C的最高结温以及紧凑的封装,2STF1360成为电源转换、电机驱动、负载开关及线性放大等应用的可靠选择。

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