STP10NK70Z

STP10NK70Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片上实现了高密度的晶体管阵列，从而在单位面积内获得了优异的导通电阻与击穿电压性能平衡。其核心架构旨在高效管理高电压下的功率开关，内部寄生电容参数经过精心调校，有助于提升开关速度并降低开关损耗。

该MOSFET的显著特性在于其700V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的电压应力和浪涌。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4.5A电流条件下典型值仅为850毫欧，这意味着在导通状态下产生的传导损耗较低，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在90nC，结合适中的输入电容，有助于简化驱动电路设计并实现较快的开关速度。

在接口与参数层面，STP10NK70Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高达150W（Tc）的功率耗散。其工作结温范围宽广，覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。该器件由10V电压即可完全驱动，栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了足够的驱动安全裕度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和稳健的封装，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关拓扑、电子镇流器、电机控制驱动以及不同断电源（UPS）系统中的功率开关部分。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计的维护、备件供应或对成本极其敏感且性能要求匹配的新设计中，它依然是一个经过市场验证的高性价比选择。

• 型号:STP10NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10NK70Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其700V的高漏源电压（Vdss）额定值，能够为高压应用提供可靠的开关能力。

在导通性能上，它在10V栅极驱动下可实现低至850毫欧（典型值）的导通电阻，配合8.6A（Tc）的连续漏极电流能力，有效降低了功率损耗。其TO-220AB封装支持良好的热管理，适用于需要高效散热的设计场景。