STFI11N60M2-EP

STFI11N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh M2超结技术平台构建。该器件采用I2PAK-FP封装，专为在高电压、高功率密度应用中实现卓越的开关性能和可靠性而设计。其核心架构通过优化单元密度和电荷平衡，在保持低导通电阻的同时，显著降低了栅极电荷和内部电容，从而有效减少了开关损耗，提升了整体能效。

该MOSFET的显著特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）25°C条件下高达7.5A的连续漏极电流（Id）能力。这些参数使其能够从容应对工业级电源和电机驱动中的高压应力与电流冲击。得益于MDmesh M2技术，器件在导通状态下的损耗被降至极低水平，这对于提升系统效率、减少散热需求至关重要。用户可以通过ST代理获取该产品的详细技术资料与设计支持。

在接口与参数方面，I2PAK-FP封装提供了优异的散热性能和机械强度，其引脚布局便于在PCB上进行布局和焊接，适用于要求高可靠性的自动化生产流程。虽然该产品系列已进入停产状态，但其技术规格和性能表现使其在特定领域和现有系统维护中仍具有重要参考价值。设计工程师需要关注其电气参数的边界条件，例如壳温对电流承载能力的影响，以确保在目标应用中的稳定运行。

这款MOSFET典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、工业电机驱动与变频器以及不间断电源（UPS）和焊接设备等高功率转换系统。在这些场景中，器件的高压耐受能力、良好的开关特性以及封装带来的散热优势，共同为系统实现高功率密度、高效率和长期稳定运行提供了坚实的硬件基础。

• 型号:STFI11N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:595 毫欧 @ 3.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI11N60M2-EP是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK-FP封装。其核心卖点在于600V的高压阻断能力与7.5A（Tc=25°C）的连续电流处理能力，这使其非常适合用于高压功率转换场景。

该器件基于MDmesh M2技术，旨在优化导通电阻与开关损耗之间的平衡，从而提升系统整体能效。其坚固的封装设计也确保了良好的热性能，适用于对可靠性要求较高的工业电源和电机控制应用。