STD9NM40N

STD9NM40N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和工艺制程，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与低栅极电荷（Q_g）的良好平衡。其核心在于多漏极（Multiple Drain）网状结构，该结构有效扩大了导电沟道的有效面积，显著降低了单位面积的导通电阻，同时通过精心设计的电荷平衡机制，优化了开关过程中的动态性能，从而在高压应用中兼顾了低导通损耗与高开关效率。

作为一款400V耐压的器件，其额定连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达5.6A，最大功耗为60W。其导通电阻典型值表现出色，在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为790毫欧，这直接转化为更低的通态损耗和更高的系统能效。栅极特性方面，其阈值电压V_GS(th)最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力；在10V驱动下，总栅极电荷Q_g最大值仅为14nC，配合±25V的最大栅源电压范围，意味着驱动电路设计更为简便，开关速度更快，开关损耗得以进一步降低。此外，其输入电容C_iss在50V漏源电压下最大值为365pF，较小的电容值有助于提升高频开关性能。

该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，适用于自动化贴片生产。其结温（T_J）最高可支持150°C，保证了在严苛环境下的工作可靠性。对于需要高压开关和高效电能转换的应用，ST代理商可提供完整的技术支持和供应链服务。其典型应用场景广泛覆盖离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关，包括反激式、正激式等拓扑结构，尤其适用于适配器、LED驱动电源、辅助电源等中低功率领域。此外，在功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及各类工业级AC-DC变换器中，它也能作为可靠的开关元件，凭借其低损耗特性帮助系统满足日益严格的能效标准。

• 型号:STD9NM40N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:365 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD9NM40N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于400V的漏源电压（V_DSS）额定值与低至790毫欧（@10V， 2.5A）的导通电阻（R_DS(on)）相结合，有效降低了导通损耗。

器件在壳温条件下支持5.6A的连续漏极电流和60W的功率耗散。其开关特性通过低栅极电荷（Q_g典型值14nC @10V）和适中的输入电容得以优化，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，提升整体系统效率。该MOSFET采用DPAK表面贴装封装，最高结温为150°C，为各类电源转换和电机控制应用提供了坚固可靠的解决方案。