STB140NF75T4

STB140NF75T4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅极工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻与电荷特性平衡，这使其在功率转换和开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能。它具备75V的漏源击穿电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流能力，为处理大功率负载提供了坚实的基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、70A电流条件下典型值仅为7.5毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在218nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STB140NF75T4采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达310W。其栅源电压（Vgs）支持±20V的最大范围，提供了可靠的驱动裕量。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的抗干扰能力。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，满足工业级应用的需求。作为ST意法半导体的重要产品线成员，用户可以通过官方授权的ST代理渠道获取完整的技术支持与供应保障。

凭借高电流处理能力、低导通损耗和高效的开关性能，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动与控制、大电流负载开关、不间断电源（UPS）以及各类工业电源系统。在这些领域中，它能够有效提升能效等级，减少散热需求，从而帮助设计者实现更紧凑、更可靠的电源解决方案。

• 型号:STB140NF75T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 70A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:218 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB140NF75T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET III技术，封装形式为D2PAK。该器件设计用于高效处理大功率，其核心电气参数包括75V的漏源电压（Vdss）以及在管壳温度下高达120A的连续漏极电流（Id）。

其关键性能优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、70A Id条件下典型值仅为7.5mΩ，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大218nC @10V）有助于实现快速的开关速度，减少开关损耗。这些特性使其成为要求高效率和可靠性的功率开关应用的理想选择。