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M95512-DRDW3TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M95512-DRDW3TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95512-DRDW3TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95512-DRDW3TP/K是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q100标准的车规级EEPROM存储器芯片。该器件采用先进的非易失性存储技术构建,其核心架构基于一个经过优化的512Kb(64K x 8)存储阵列,通过高效的SPI(串行外设接口)与主控制器进行通信。这种设计确保了在严苛的汽车电子环境中,数据能够被可靠地存储与读取,同时维持极低的功耗和稳定的性能表现。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围与高可靠性上。它支持1.8V至5.5V的宽电压供电,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台,极大地提升了设计的灵活性。其时钟频率最高可达16MHz,配合高效的SPI接口,能够实现快速的数据传输,满足实时性要求较高的应用需求。在数据写入方面,其字或页写入周期时间典型值为4ms,并内置了完善的写保护机制,有效防止了数据的意外篡改或丢失。对于需要稳定供应链支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

在接口与关键参数层面,M95512-DRDW3TP/K提供了高度集成的解决方案。其SPI接口支持标准模式,确保了与市面上绝大多数微控制器的兼容性。该器件在-40°C至125°C的扩展工业温度范围(TA)内均能保证全功能运行,这一特性使其完全满足汽车前装及工业级应用对温度稳定性的严苛要求。芯片采用8引脚TSSOP表面贴装封装,封装宽度为4.40mm,具有紧凑的物理尺寸,非常适合于空间受限的PCB布局设计。

基于其卓越的可靠性和环境适应性,M95512-DRDW3TP/K的理想应用场景主要集中在汽车电子领域,例如用于存储车辆配置参数、里程数据、故障诊断代码(DTC)以及安全气囊传感器的校准信息。此外,其在工业自动化、智能仪表、医疗设备以及需要非易失性存储且工作环境复杂的消费类电子产品中也有着广泛的应用潜力,为系统提供关键的数据持久化保障。

  • 型号:M95512-DRDW3TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:512Kb
  • 存储器组织:64K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:16 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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M95512-DRDW3TP/K是ST意法半导体生产的一款512Kb容量、基于SPI接口的EEPROM存储器。该器件采用非易失性存储技术,组织架构为64K x 8位,其核心优势在于符合AEC-Q100车规标准,并支持-40°C至125°C的宽工作温度范围,确保了在极端环境下的数据可靠性。

该芯片提供高达16MHz的SPI时钟频率,可实现快速数据访问,同时其1.8V至5.5V的宽电压供电范围赋予了其出色的系统兼容性。其典型的字或页写入周期为4ms,并采用8-TSSOP紧凑型封装,适用于对空间、功耗和可靠性有严格要求的汽车电子及工业应用场景。

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