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M24512-HRDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24512-HRDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24512-HRDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24512-HRDW6TP是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的512Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的EEPROM技术构建,其核心架构围绕一个按64K x 8位组织的非易失性存储阵列。内部集成了地址寄存器、控制逻辑以及高压生成电路,确保了在单电源供电下可靠地完成编程和擦除操作。其设计充分考虑了数据的安全性与完整性,内置的写保护机制和可编程的硬件写保护引脚,能够有效防止意外或恶意的数据篡改。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围和高速访问性能上。其供电电压范围覆盖1.8V至5.5V,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的广泛平台,极大增强了设计的灵活性。在时钟频率高达1MHz的快速模式(Fast-mode)IC总线支持下,配合500ns的快速访问时间,能够满足多数应用对数据读写速度的要求。其页写操作模式允许一次性写入多达128字节的数据,结合典型的10ms写周期时间,提升了批量数据存储的效率。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

在接口与关键参数方面,M24512-HRDW6TP严格遵循IC总线协议,通过串行数据线(SDA)和串行时钟线(SCL)与主控制器通信,最多支持通过三个地址引脚配置八个不同的从机地址,方便在同一总线上进行多器件扩展。芯片提供了100万次的擦写周期和超过40年的数据保存期限,保证了在长期使用中的高可靠性。其工作温度范围宽达-40°C至85°C,能够适应严苛的工业环境。器件采用8引脚TSSOP表面贴装封装,符合现代电子产品小型化、高密度的设计趋势。

凭借其稳定的性能和丰富的特性,M24512-HRDW6TP非常适合应用于需要可靠参数存储、配置信息保存或事件日志记录的场合。典型应用场景包括工业控制系统中的参数备份、通信模块的配置存储、智能电表的数据记录、汽车电子中的子系统信息存储以及各类消费电子产品。其宽压特性尤其适合电池供电的便携式设备,有助于延长整体系统的续航时间。尽管该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计和广泛的应用验证,使其在存量项目维护或特定需求设计中仍具参考价值。

  • 型号:M24512-HRDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:512Kb
  • 存储器组织:64K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:10ms
  • 访问时间:500 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24512-HRDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24512-HRDW6TP是ST意法半导体生产的一款512Kbit(64K x 8)串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,支持高达1MHz的时钟频率,并具备1.8V至5.5V的宽电压工作范围,确保了其在多种供电环境下的兼容性与灵活性。

其核心特性包括10ms的快速写周期时间、500ns的访问时间以及-40°C至85°C的扩展工业级工作温度范围。器件提供高达100万次的编程/擦除周期和超过40年的数据保存能力,采用8-TSSOP表面贴装封装,适用于对数据可靠性和空间有要求的各类嵌入式系统。

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