STP35N60DM2

STP35N60DM2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与出色的开关性能之间的平衡。其核心在于第二代DM2超结（Super-Junction）架构，通过精心设计的电荷平衡技术，有效降低了导通损耗和栅极电荷，从而提升了整体能效和功率密度，使其在高压开关应用中表现出卓越的可靠性。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和28A的连续漏极电流（I_D）能力，为其在高功率场景下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻在典型工作条件下（14A，10V V_GS）最大仅为110毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，器件拥有优化的动态参数，最大栅极电荷（Q_g）仅为54nC，结合2400pF的输入电容，确保了快速开关特性和简化的栅极驱动设计，有助于减少开关损耗并提升系统频率。

在电气接口与参数方面，该器件设计有±25V的最大栅源电压容限，提供了较强的栅极驱动抗干扰能力。其阈值电压V_GS(th)最大为5V，属于标准逻辑电平驱动范畴。封装采用经典的TO-220通孔形式，便于安装散热器，其结壳热阻特性支持高达210W（T_C=25°C）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此型号及其相关技术支持。

得益于其高压、大电流、低损耗和快速开关的综合优势，STP35N60DM2非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）初级侧、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及工业照明中的电子镇流器等应用。它是工程师在构建从几百瓦到千瓦级功率转换系统时，为实现更高能效和更紧凑设计而优先考虑的高性价比功率开关解决方案。

• 型号:STP35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP35N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心特性包括600V的漏源电压（V_DSS）和28A的连续漏极电流（I_D）处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大仅为110mΩ，有效降低了导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Q_g，最大54nC）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。器件采用TO-220封装，结温范围达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业级电源与驱动设计。