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M95040-DFMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M95040-DFMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95040-DFMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体(STMicroelectronics)推出的M95040-DFMN6TP是一款基于成熟EEPROM技术的串行非易失性存储器芯片。其核心架构采用经典的512 x 8位存储阵列组织,总容量为4Kb,通过高效的SPI(串行外设接口)与主控制器进行通信。该接口支持标准SPI模式(0和3),时钟频率最高可达20MHz,确保了在需要快速读取配置参数或记录数据的应用中能够实现高速数据传输,有效减少主处理器的等待时间。

该器件在功能设计上突出了高可靠性与易用性。它具备页写(Page Write)能力,支持单字节写入以及最高16字节的页写入操作,写周期时间典型值为5ms。宽电压供电范围(1.7V至5.5V)是其显著优势之一,使得同一颗芯片能够无缝兼容从1.8V、3.3V到5V的不同逻辑系统,极大地简化了多电压平台的设计与物料管理。此外,芯片内置了写保护控制机制,通过软件指令或硬件写保护引脚(WP)可以防止存储数据的意外篡改,增强了系统的安全性。

在接口与关键参数方面,M95040-DFMN6TP提供了高度灵活的操作条件。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,能够适应苛刻的环境要求。器件采用表面贴装型的8引脚SOIC封装,符合主流的自动化贴装生产流程。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取原厂正品、完整的数据手册以及设计参考。这些参数共同指向一个目标:在最小的系统资源占用下,提供稳定、持久的数据存储解决方案。

基于其技术特性,M95040-DFMN6TP非常适合应用于需要存储少量但关键数据的场景。例如,在工业控制系统中用于保存设备校准参数、运行日志或用户设置;在消费电子领域,可用于智能电表、家电主板存储配置信息;在汽车电子中,符合工作温度要求的它可用于存储模块标识信息或事件记录。其非易失性确保了掉电后数据不丢失,SPI接口则简化了与各类MCU的连接,使其成为众多嵌入式设计中可靠的数据存储基石。

  • 型号:M95040-DFMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:4Kb
  • 存储器组织:512 x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:20 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M95040-DFMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M95040-DFMN6TP是ST意法半导体推出的一款4Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用高速SPI接口,时钟频率最高支持20MHz,并具备1.7V至5.5V的宽电压供电能力,可灵活适配多种逻辑电平系统。

其存储结构为512 x 8位,支持字节和页写操作,典型写周期时间为5ms。器件采用8-SOIC表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,提供了在工业及消费类应用中可靠的非易失性数据存储解决方案。

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