STGW28IH125DF

STGW28IH125DF是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用先进的沟槽型场截止技术。该器件设计用于在高电压、高功率密度应用中实现卓越的效率与可靠性，其核心架构通过优化载流子分布，显著降低了饱和压降（Vce(on)）和开关损耗，从而在1250V的高压平台上实现了优异的导通与开关性能平衡。

该IGBT具备多项关键特性，使其在严苛的工业环境中表现出色。其集电极-发射极击穿电压高达1250V，最大连续集电极电流为60A，脉冲电流能力可达120A，确保了强大的过载承受能力。在典型的15V栅极驱动电压、25A集电极电流条件下，其最大饱和压降仅为2.5V，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其开关特性经过精心优化，关断延迟时间（Td(off)）为128ns，关断能量（Eoff）为720J，结合114nC的栅极电荷，使得开关过程快速且可控，有助于减少开关应力并简化驱动电路设计。

在接口与热管理方面，STGW28IH125DF采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热处理。其最大功耗为375W，结温（Tj）工作范围宽达-55°C至175°C，为设计提供了充足的热裕量。这些参数共同指向了其在高效能、高可靠性功率转换系统中的核心价值。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高压、大电流和快速开关能力，STGW28IH125DF非常适合于要求严苛的工业应用场景。它是三相电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和焊接设备等中高功率系统的理想选择。在这些应用中，器件需要高效处理能量转换，同时承受频繁的开关循环和可能出现的电压尖峰。STGW28IH125DF凭借其稳健的电气性能和热特性，能够有效提升终端产品的功率密度、能效和长期运行可靠性。

• 型号:STGW28IH125DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 60A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:720J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:114 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/128ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
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STGW28IH125DF是ST意法半导体推出的一款有源、高性能IGBT，属于晶体管-IGBT系列。该器件采用沟槽型场截止技术，核心电气参数定位明确，旨在满足高压、高效功率转换的需求。

其关键规格包括1250V的集射极击穿电压和60A的最大集电极电流，提供了坚实的电压阻断和电流处理能力。在导通特性上，其在15V栅压、25A电流下的最大饱和压降仅为2.5V，有助于降低导通损耗。同时，375W的最大功耗和宽达-55°C至175°C的结温工作范围，确保了器件在高温环境下的可靠运行与散热设计灵活性。

综合来看，STGW28IH125DF通过优化导通压降、开关能量（720J关断）及栅极电荷（114nC）等参数，在TO-247封装内实现了性能与可靠性的良好平衡，适用于对效率和鲁棒性有较高要求的工业功率应用。