STD4N62K3

STD4N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺改进，在硅片层面实现了卓越的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一关键品质因数（FOM）的显著优化，意味着它在高频开关应用中能够同时兼顾低导通损耗和低开关损耗，从而提升整体能效。

得益于SuperMESH3技术的加持，这款MOSFET展现出多项突出的电气特性。其620V的高漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，增强了系统在浪涌和瞬态电压下的可靠性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，这直接转化为更低的通态压降和导通功耗。同时，最大仅14nC的栅极总电荷（Qg）和450pF的输入电容（Ciss）有效降低了驱动电路的负担，使得开关速度更快，开关损耗更小，特别适合高频工作模式。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，增强了驱动的鲁棒性。该器件采用表面贴装型DPAK封装，在紧凑的占位面积内实现了高达70W（Tc）的功率耗散能力，并且结温（Tj）最高可工作在150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面，STD4N62K3定义了清晰的工作边界。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为3.8A，为电流容量设计提供了依据。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器良好的兼容性，同时具备足够的抗干扰能力。这些参数共同描绘了一个高效、坚固的功率开关形象。

综合其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及坚固的封装，STD4N62K3非常适用于需要高效电能转换的中等功率场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明系统的LED驱动电源、工业电机控制中的辅助电源以及各类AC-DC适配器和充电器。它在提升系统功率密度和能源效率方面扮演着关键角色。

• 型号:STD4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其620V的高漏源电压和优异的开关性能，旨在为功率转换应用提供高效的解决方案。

其技术参数体现了卓越的能效平衡：极低的导通电阻有助于最小化传导损耗，而极低的栅极电荷和输入电容则确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。结合3.8A的连续电流能力和高达150°C的结温工作范围，这款MOSFET为设计工程师在提升功率密度和系统可靠性方面提供了强有力的支持。