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VNLD5300TR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,VNLD5300TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNLD5300TR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNLD5300TR-E是意法半导体(STMicroelectronics)推出的OMNIFET III系列中的一款高度集成的智能功率开关。该器件采用先进的VIPower M0-9技术制造,将功率N沟道MOSFET、保护电路和诊断接口集成在一个紧凑的8引脚SO封装内。其核心是一个坚固的低侧开关驱动器,采用单芯片设计,无需外部VCC电源供电,直接从逻辑输入引脚获取控制信号,这极大地简化了系统设计,减少了外围元件数量,提升了整体可靠性。

该器件具备多项关键功能特性。其最大负载电压可达36V,持续输出电流能力为2A,典型导通电阻低至300毫欧,确保了高效的电能传输和较低的功率损耗。接口设计简洁,采用非反相的开/关逻辑控制,兼容3.3V和5V微控制器电平,便于直接驱动。内置的全面故障保护机制是其显著优势,包括固定阈值限流保护、过温关断、过压钳位以及欠压锁定(UVLO)。此外,它还集成了开路负载检测(在开关关闭状态下)和自动重启功能,当故障条件消除后,器件能自动恢复正常工作,增强了系统的鲁棒性。

在参数方面,VNLD5300TR-E提供了两个独立的低端输出通道,输入与输出为1:1比率。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,适用于严苛的环境。器件通过“状态标志”引脚提供诊断反馈,该开路漏极输出能指示过温、过载或短路等故障状态,使主控制器能够实时监控负载情况。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的ST代理商获取该产品,确保原装正品和技术支持。

凭借其高集成度、强大的保护功能和易用性,VNLD5300TR-E非常适合驱动各种电阻性、电感性或容性负载。典型应用场景包括汽车电子系统中的车身控制模块(如驱动车窗升降器、座椅调节电机、灯组)、工业自动化中的电磁阀、继电器和小型电机控制,以及办公设备中的负载驱动。其表面贴装封装和卷带包装也完全适应现代自动化贴片生产流程。

  • 型号:VNLD5300TR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:36V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):2A
  • 导通电阻(典型值):300 毫欧
  • 输入类型:非反相
  • 特性:自动重启,状态标志
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压,UVLO
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • 想获取VNLD5300TR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNLD5300TR-E是ST意法半导体OMNIFET III系列的一款双通道、低侧智能功率开关。它集成了一个36V、2A的N沟道功率MOSFET,典型导通电阻仅为300毫欧,并内置了全面的保护与诊断功能。

该器件无需外部VCC电源,直接由逻辑输入控制,极大简化了设计。其关键特性包括固定限流、过温关断、过压保护、欠压锁定(UVLO)以及开路负载检测。此外,它提供状态标志诊断输出,并具备故障后自动重启能力,工作结温范围为-40°C至150°C,采用8-SO表面贴装封装,适用于要求高可靠性的汽车和工业负载驱动应用。

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