STFU28N65M2

STFU28N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和外延层工艺，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心在于平衡了开关损耗与传导损耗，通过精确控制栅极电荷和内部电容，为高频开关应用提供了优异的性能基础。这种架构确保了器件在高压、大电流工作条件下的可靠性与效率，是MDmesh M2系列在功率密度和能效方面持续演进的有力体现。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其650V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC变换器、功率因数校正（PFC）等应用中的高压母线波动，提供了充足的设计裕量。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达20A，支持可观的功率处理能力。尤为关键的是，在10V栅源驱动电压（V_GS）和10A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为180毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值控制在35nC（@10V），结合1440pF的输入电容（C_iss），有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装形式，便于在散热器上安装以实现有效的热管理，其最大功率耗散为30W（T_C）。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了设计的灵活性。阈值电压V_GS(th)最大值为4V（@250A），提供了良好的噪声抑制能力。其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，STFU28N65M2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、服务器和电信设备的工业电源、照明应用的LED驱动器以及不间断电源（UPS）系统。在太阳能逆变器或电机驱动的辅助电源中，它也能发挥重要作用。其性能参数使其成为工程师在开发新一代节能型功率电子产品时，平衡成本与性能的优选功率开关解决方案。

• 型号:STFU28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU28N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为650V漏源电压（V_DSS）和20A连续漏极电流（I_D），具备强大的高压大电流处理能力。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能上。在10V驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至180毫欧（@10A），能有效降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g，最大35nC）和输入电容特性，确保了快速、高效的开关行为，有助于提升整体电源系统的功率密度和能效。这些特性使其成为工业电源、PFC电路和各类开关电源中主功率开关的理想选择。