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HCF4025M013TR的图片

HCF4025M013TR

ST图标
集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC GATE NOR 3CH 3-INP 14SO
原厂封装:封装:14-SO
优势价格,HCF4025M013TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HCF4025M013TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

HCF4025M013TR是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款CMOS工艺三通道3输入或非门(NOR Gate)集成电路,隶属于经典的4000系列逻辑芯片家族。该器件采用14引脚SO封装,专为表面贴装(SMT)工艺设计,其核心架构基于成熟的互补金属氧化物半导体技术,确保了在宽电压范围内极低的静态功耗与良好的噪声容限。每个封装内集成了三个完全独立的逻辑门单元,每个单元执行标准的或非逻辑功能,即当所有输入为低电平时输出为高电平,任一输入为高电平时输出即变为低电平,这种设计为数字系统的构建提供了基础且可靠的门电路模块。

该芯片的功能特点突出表现在其宽广的工作电压范围与出色的功耗控制上。其供电电压支持3V至20V,这使得它既能兼容早期的较高电压逻辑系统,也能适应现代低电压应用场景,提供了极大的设计灵活性。尤为关键的是,其在典型条件下的静态电流最大值仅为5A,这对于电池供电或对功耗有严格要求的便携式设备而言是一个显著优势。输出驱动能力方面,其灌电流和拉电流均达到6.8mA,足以驱动多个CMOS负载或一个标准的LED指示灯,增强了其在实际电路中的驱动和扇出能力。

在电气接口与参数方面,HCF4025M013TR定义了明确的输入输出逻辑电平。其输入低电平阈值最高可达4V,输入高电平阈值最低可至3.5V(具体值随供电电压变化),这提供了充足的噪声容限,增强了系统在复杂电磁环境下的稳定性。信号传输速度上,在15V供电、负载电容为50pF的测试条件下,其最大传播延迟为80ns,能够满足多数中低速数字电路对时序的要求。此外,其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 125°C)使其能够胜任工业控制、汽车电子乃至军事领域等对可靠性要求严苛的应用。尽管该产品目前已处于停产状态,但通过正规的ST代理渠道,工程师仍可能获取库存或替代方案信息,以支持既有产品的维护与生产。

基于上述特性,该器件的典型应用场景十分广泛。它常被用于构建基本的逻辑功能电路,如触发器、振荡器、锁存器和编码/解码器等。其宽压特性使其在电源电压可能波动的系统(如汽车电子、工业PLC模块)中表现出色。极低的静态功耗使其非常适合用于手持仪表、远程传感器节点等需要长期待机的设备中,以延长电池寿命。同时,其坚固的工业级温度规格也保障了在户外设备、环境监控等温差变化大的场合下的可靠运行。

  • 型号:HCF4025M013TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:14-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
  • 描述:IC GATE NOR 3CH 3-INP 14SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 逻辑类型:或非门
  • 电路数:3
  • 输入数:3
  • 特性:-
  • 电压 - 供电:3V ~ 20V
  • 电流 - 静态(最大值):5 A
  • 电流 - 输出高、低:6.8mA,6.8mA
  • 逻辑电平 - 低:1.5V ~ 4V
  • 逻辑电平 - 高:3.5V ~ 11V
  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:80ns @ 15V,50pF
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:14-SO
  • 封装/外壳:14-SOIC(0.154\\
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HCF4025M013TR是ST意法半导体生产的一款CMOS三通道3输入或非门集成电路,采用14-SO表面贴装封装。该器件核心优势在于其3V至20V的宽工作电压范围仅5A的最大静态电流,实现了高噪声容限与极低功耗的平衡,特别适合电池供电或对能效敏感的应用。

其输出驱动能力达6.8mA,可有效驱动后续负载。在15V供电、50pF负载条件下,信号最大传播延迟为80ns,满足中低速数字电路需求。此外,器件支持-55°C至125°C的扩展工业温度范围,确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性,适用于汽车电子、工业控制及各类便携式数字设备中的基础逻辑构建。

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