STP9NM60N

STP9NM60N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种架构的核心优势在于其出色的动态性能，能够有效管理开关过程中的能量损耗，尤其适用于硬开关拓扑结构。其内部集成的快速恢复体二极管进一步提升了其在感性负载应用中的可靠性，减少了反向恢复电荷带来的开关损耗和电压应力。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为6.5A，结合仅745毫欧（@ 10V Vgs）的低导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下具有较低的传导损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值17.4nC）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率。

在电气参数方面，STP9NM60N的栅源电压（Vgs）可承受±25V，增强了驱动电路的鲁棒性。其最大结温（Tj）高达150°C，封装形式为经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高达70W（Tc）的功率耗散。这些特性共同构成了一个在高压、中电流应用中兼顾性能与可靠性的解决方案。对于需要稳定供货和技术支持的客户，建议通过官方ST授权代理进行采购，以确保产品正宗并获得完整的应用支持。

凭借其平衡的性能组合，该器件主要面向各类AC-DC开关电源的初级侧开关、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制中的功率开关环节。其设计旨在满足对效率、散热和成本均有要求的应用场景，特别是在需要应对电网电压波动或存在感性负载的严苛环境中，能够提供稳定持久的运行表现。

• 型号:STP9NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP9NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和6.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的开关特性与导通性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至745毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统频率和整体能效。这些特性使其成为离线式电源、功率因数校正（PFC）电路和电机控制等应用的理想选择。