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M24C08-RMN6P的图片

M24C08-RMN6P

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C08-RMN6P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C08-RMN6P的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C08-RMN6P是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术,构建了1K x 8位(即8Kb)的非易失性存储阵列。其核心架构基于IC(Inter-Integrated Circuit)两线制串行接口总线,该接口仅需时钟(SCL)和数据(SDA)两条线即可实现与主控制器(如MCU)的完整通信,极大地简化了系统布线和PCB设计,尤其适合引脚资源紧张的应用。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压范围与高可靠性上。其工作电压支持从1.8V至5.5V,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台,提供了出色的设计灵活性。其400kHz的快速时钟频率确保了数据传输的效率,而典型的5ms页写入周期时间和900ns的访问时间,则在数据更新速度和读取响应上取得了良好平衡。对于需要参数存储、配置信息保存或事件记录的系统,其非易失特性保证了在断电后数据依然完好无损。用户可以通过ST代理商获取该产品的技术支持和供货信息。

在接口与参数方面,M24C08-RMN6P严格遵循IC总线协议,支持标准的读写操作以及可选的写保护功能。其内部组织为128页,每页8字节,支持页写操作以提高连续数据的写入效率。芯片采用8引脚SOIC封装,属于表面贴装型(SMT),便于自动化生产。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。需要注意的是,该器件已处于停产状态,在新设计选型时应考虑其替代型号或生命周期状态。

得益于其紧凑的封装、简单的接口和宽泛的电压适应性,M24C08-RMN6P非常适合应用于各类需要小容量、可靠参数存储的电子设备中。典型的应用场景包括消费电子产品(如电视、机顶盒的配置存储)、工业控制系统(用于存储校准数据、设备标识符)、通信模块、智能电表以及汽车电子中的非核心数据存储等。在这些领域中,它作为系统可靠性的关键一环,承担着保障设备个性化配置和运行状态持久化的重要任务。

  • 型号:M24C08-RMN6P
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:900 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C08-RMN6P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C08-RMN6P是ST意法半导体推出的一款8Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC两线制接口,最高支持400kHz通信速率,实现了在简化硬件连接的同时保证有效的数据传输带宽。

其核心优势在于宽广的1.8V至5.5V工作电压范围,使其能灵活适配多种逻辑电平系统。器件提供128页(每页8字节)的存储结构,支持页写操作,典型页写入时间为5ms。采用8-SOIC表面贴装封装,并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围,满足多数应用环境对可靠性的要求。

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