STD1NK80ZT4

STD1NK80ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心在于SuperMESH技术，该技术通过创新的垂直结构显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），从而在高压应用中有效减少了导通损耗，提升了整体能效。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰，确保了系统的可靠性与长期稳定性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、500mA漏极电流条件下的导通电阻典型值仅为16欧姆，配合极低的栅极电荷（Q_g，典型值7.7nC @ 10V）和输入电容（C_iss），共同带来了出色的开关性能。较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，开关速度更快，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动设计。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±30V，提供了宽裕的安全设计余量。

器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（T_C）条件下最大功耗可达45W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的环境温度要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。这些电气与物理参数使其成为一个高效、紧凑的功率开关解决方案。

凭借高耐压、低开关损耗和良好的热性能，STD1NK80ZT4非常适用于需要高效功率转换和管理的领域。其典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动器和电子镇流器。在工业自动化系统中，它也常用于辅助电源、电机驱动控制板中的小功率开关环节，为系统提供稳定可靠的高压开关功能。

• 型号:STD1NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD1NK80ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）额定值，能够为高压应用提供坚固的耐压保障。

在电气性能上，它在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，同时栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）值非常小，这共同确保了快速高效的开关特性，有助于降低整体开关损耗。其设计支持在-55°C至150°C的宽结温范围内工作，最大功耗为45W（T_C），适用于对可靠性和效率有较高要求的紧凑型电源设计。