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VND81013TR

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
原厂封装:封装:16-SO
优势价格,VND81013TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND81013TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VND81013TR是意法半导体(STMicroelectronics)基于其成熟的VIPower技术平台开发的一款双通道高端智能功率开关。该器件采用单片结构,将两个独立的N沟道垂直功率MOSFET与集成的控制和保护电路封装在紧凑的16-SO封装内,实现了高功率密度与高可靠性的结合。其设计无需外部VCC电源,直接从负载电源轨工作,简化了系统电源设计,特别适合由电池或车辆电气系统直接供电的应用环境。

该芯片的核心功能在于对两个独立负载的精准驱动与保护。每个通道均具备独立的开/关逻辑控制输入,采用非反相设计,便于与微控制器等逻辑电路直接接口。其导通电阻典型值低至160毫欧,在驱动高达3.5A的持续负载电流时,能有效降低导通损耗和温升,提升系统整体能效。除了基本的开关功能,ST中国代理通常会重点强调其内置的全面诊断与保护机制,这是其作为智能功率开关的关键价值所在。芯片集成了固定阈值的限流保护、过温关断、过压钳位以及开路负载检测(在输出关断状态下)功能,并且具备自动重启特性,在非锁存性故障(如瞬态过载)消除后能自动恢复正常工作,极大增强了系统的鲁棒性。

在接口与参数层面,VND81013TR展现了高度的适应性。其负载工作电压范围宽达5.5V至36V,覆盖了从单节锂离子电池到24V车辆系统的常见电压域。工作结温范围高达-40°C至150°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。此外,芯片提供了一个状态标志(Status Flag)输出引脚,该开漏输出能够指示多种故障条件(如过温、过流、开路),为上位机提供了实时的系统健康状态反馈,便于实现预测性维护或安全联锁。其表面贴装型16-SO封装符合自动化生产要求,卷带(TR)包装便于高效贴装。

得益于其双通道独立控制、强大的驱动能力与内建的保护诊断功能,VND81013TR非常适合于需要高可靠性负载管理的应用场景。典型应用包括汽车电子领域中的驱动电阻性、感性和容性负载,如灯泡、继电器、小型电机、加热器等;亦可用于工业控制中的电磁阀驱动、电源分配模块,以及需要智能配电的通用电子系统。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计理念和VIPower架构在后续产品中得以延续和发展。

  • 型号:VND81013TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:5.5V ~ 36V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):3.5A
  • 导通电阻(典型值):160 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:自动重启,状态标志
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:16-SO
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.154\\
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VND81013TR是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关,隶属于VIPower产品系列。该器件集成了两个独立的N沟道功率MOSFET,每个通道可提供高达3.5A的持续输出电流,其典型导通电阻仅为160毫欧,能有效降低功率损耗。

该芯片设计精简,无需外部VCC电源,工作电压范围覆盖5.5V至36V,通过简单的开/关逻辑输入即可控制。其核心价值在于集成了全面的故障保护功能,包括固定限流、过温关断、过压保护及开路负载检测,并具备自动重启机制。同时,通过状态标志引脚提供实时诊断反馈,增强了系统管理的安全性与可靠性。

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