STD4N80K5

STD4N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装型DPAK封装。该器件基于先进的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在高压、高开关频率的应用中实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一指标是衡量高压MOSFET开关损耗与导通损耗综合性能的关键。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效，尤其适用于对效率和热管理有严格要求的功率转换场景。

在功能特性方面，该器件具备800V的漏源击穿电压（Vdss），提供了宽裕的电压裕量，能够有效应对工业及消费类电源中常见的电压尖峰和浪涌。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.5A电流条件下典型值仅为2.5欧姆，确保了在导通状态下较低的功率损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）低至10.5nC，结合175pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动需求简单，开关速度快，有助于减少开关过程中的损耗并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，增强了抗干扰能力。

从接口与参数来看，该MOSFET在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值为3A，最大功耗为60W。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大为5V（在100A漏极电流条件下），提供了明确的导通点。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的ST授权代理获取原装正品和技术支持，确保设计的一致性与长期可靠性。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，STD4N80K5非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动、家用电器辅助电源以及工业电机控制中的辅助电源模块。在这些应用中，它能够帮助设计者实现高功率密度、高效率和鲁棒性的电源解决方案。

• 型号:STD4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD4N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于800V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻（2.5欧姆 @ 10V, 1.5A）相结合，为高压开关应用提供了出色的耐压能力和较低的传导损耗。

该器件同时具备低栅极电荷（10.5nC @ 10V）和低输入电容，这显著降低了开关损耗，并允许使用更简单的驱动电路，从而实现高效率的快速开关操作。其3A的连续漏极电流能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了在各类电源转换和电机控制辅助电源等应用中的稳定性和可靠性。