STP5NK90Z

STP5NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元设计和先进的工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与高阻断电压（900V V_DSS）之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地减少导通损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件的一个显著特点是其卓越的高电压处理能力，漏源击穿电压高达900V，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下的典型导通电阻仅为2.5欧姆（测试条件为2.25A），这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在41.5nC，结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的负担，从而优化高频开关性能。

在接口与参数层面，STP5NK90Z采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（T_J）可达150°C，在配备适当散热器的情况下，能够持续处理高达125W（壳温T_C条件下）的功率耗散。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，且栅源电压（V_GS）可承受±30V，这提供了宽裕且稳健的驱动设计窗口。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST中国代理获取详细的技术资料和库存信息。

得益于其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，该MOSFET非常适合应用于要求严苛的离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主开关电路、工业照明镇流器、以及家用电器和工业设备中的电机驱动与逆变器模块。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定长生命周期产品设计中，它仍然是一个经过市场验证的高可靠性选择。

• 型号:STP5NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心参数包括900V的漏源电压（V_DSS）和4.5A的连续漏极电流（I_D），具备出色的高压阻断能力。

其技术优势体现在较低的导通电阻（R_DS(on)典型值为2.5Ω @ 10V）与优化的栅极电荷（Q_g典型值为41.5nC），这共同保障了高效的功率传输与快速的开关速度。器件采用TO-220AB封装，最大功率耗散为125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对可靠性和热管理有较高要求的工业级应用场景。