STB24N60DM2

STB24N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡，其核心在于通过精细的单元几何结构和改进的工艺技术，有效降低了单位面积的导通损耗，同时保持了出色的开关特性。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的保障。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、9A电流条件下典型值仅为200毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，器件拥有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于减少开关过程中的能量损失，提升开关频率，并降低对驱动电路的要求，使得整体电源设计更为简洁高效。

在电气参数方面，STB24N60DM2的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。其栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了较宽的安全工作裕度。器件采用表面贴装型D2PAK封装，该封装具有良好的热性能和功率处理能力，最大功率耗散可达150W（Tc），结合其-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应严苛的环境条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品及相关服务。

凭借其高压、大电流、低损耗及快速开关的综合性能，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备中的功率开关部分。其稳健的设计使其成为提升系统能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STB24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB24N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），适用于高压大电流的开关应用。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为200毫欧 @ 9A，配合较低的栅极电荷（29nC @ 10V），有效降低了传导与开关损耗，提升了整体能效。器件采用D2PAK表面贴装封装，支持高达150W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。