ST代理,ST芯片代理,ST代理商
ST代理商渠道,ST芯片一站式采购平台
ST意法半导体芯片的即时报价、快速出货、无最低起订量
ST
BUL903ED的图片

BUL903ED

ST图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 5A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,BUL903ED的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
电话询问价格
BUL903ED的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BUL903ED是ST意法半导体推出的一款高压大功率双极性晶体管(BJT),采用经典的NPN结构设计,旨在为高电压、中电流的开关及线性放大应用提供可靠的功率处理方案。其核心架构基于成熟的平面工艺技术,确保了在高达400V的工作电压下仍能保持稳定的电气特性。该器件采用TO-220-3通孔封装,具有良好的机械强度和散热性能,便于安装在散热器上,以满足高功率耗散的需求。

该晶体管具备出色的高压耐受能力,其集电极-发射极击穿电压(VCEO)最大值达到400V,集电极连续电流(IC)最大额定值为5A,这使得它能够胜任许多离线式电源、电机驱动和工业控制系统中对电压和电流有较高要求的场合。在饱和导通状态下,其集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))典型值较低,例如在IC=1A, IB=150mA条件下,最大值仅为1V,这有助于降低导通损耗,提升整体能效。同时,其直流电流增益(hFE)在IC=500mA, VCE=3V时最小值为20,提供了足够的驱动能力。

在接口与关键参数方面,BUL903ED的最大功耗为70W,结合其TO-220封装,为系统散热设计提供了充裕的空间。其集电极截止电流(ICEO)最大值为1mA,表明了器件在关断状态下的良好隔离特性。最高结温(TJ)为150°C,确保了在严苛环境下的工作可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

尽管该产品目前已处于停产状态,但其经典的设计和经过验证的性能使其在诸多存量应用和特定设计中仍被广泛使用或作为替代参考。其典型的应用场景包括开关电源(SMPS)中的高压侧开关、电子镇流器、AC-DC转换器、以及UPS(不间断电源)和工业逆变器中的功率开关模块。在这些应用中,它主要承担着高电压下的功率切换或线性调节功能,其400V/5A的耐压和载流能力是满足此类设计需求的关键。

  • 型号:BUL903ED
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 5A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 150mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大值:70 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取BUL903ED的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BUL903ED是ST意法半导体生产的一款NPN型高压大功率双极性晶体管。其核心电气参数包括400V的集射极击穿电压和5A的最大集电极电流,使其能够处理中高功率等级的应用。器件采用标准的TO-220-3通孔封装,最大功耗为70W,便于安装散热器以实现有效的热管理。

该晶体管在导通特性上表现良好,饱和压降较低,有助于减少开关或放大状态下的功率损耗。其设计适用于要求高压开关和一定电流驱动能力的场合,是离线电源、电机控制和工业驱动等传统功率电子系统中的经典功率开关元件之一。

了解更多ST芯片的报价及技术资料
ST芯片代理的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格
ST公司(意法半导体)授权的国内ST一级代理一手货源,大小批量出货
ST中国代理商