STL130N6F7

STL130N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。其核心设计通过精细的单元密度控制和创新的封装技术，在紧凑的物理尺寸内实现了高电流处理能力与低热阻的平衡，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压下典型值仅为3.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其优化的栅极电荷（Qg）与电容特性确保了快速的开关瞬态，有助于降低开关损耗并允许更高的工作频率。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了稳健的驱动容限。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）以及优异的功率耗散能力（Tc条件下125W），使其能够在严苛的热环境中稳定运行。对于需要本地化技术支持和供应链服务的用户，可以联系ST中国代理获取相关资源。

在电气参数方面，STL130N6F7具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达130A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够胜任中高功率级别的任务。其采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和低寄生电感，非常适合高密度PCB布局。低阈值电压（Vgs(th)）与适中的输入电容（Ciss）相结合，降低了对栅极驱动电路的要求，简化了系统设计。

凭借其高性能指标，该器件主要面向对效率和功率密度有严格要求的应用场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）、电机驱动控制以及各类电源管理系统中的理想选择。在服务器电源、通信基础设施、工业自动化设备和电动工具等领域的功率开关电路中，STL130N6F7能够有效提升整体能效和可靠性，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键元器件。

• 型号:STL130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL130N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，在60V的漏源电压（Vdss）下，能够持续承载高达130A的电流（Tc条件），其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为3.5毫欧（@10V Vgs），可显著降低功率损耗。

该MOSFET具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现高效率和高频操作。其采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在紧凑空间内出色的热管理和可靠性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等中高功率应用的理想开关解决方案。