STD50NH02L-1

STD50NH02L-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为需要高电流处理能力和低导通损耗的开关应用而优化。其核心架构通过创新的单元设计和工艺优化，在紧凑的封装内实现了优异的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的平衡，这对于提升开关电源的效率和功率密度至关重要。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为24V，在壳温（Tc）25°C条件下，连续漏极电流（Id）高达50A，展现出强大的电流承载能力。其关键电气参数表现突出：在10V驱动电压（Vgs）和25A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为10.5毫欧，确保了在导通状态下的极低功率损耗。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，并与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。此外，在10V Vgs下，栅极总电荷（Qg）最大值控制在24nC，结合1400pF的输入电容（Ciss），共同决定了其具有快速的开关切换特性，有助于降低开关损耗并提升系统工作频率。

在接口与热性能方面，器件采用标准的通孔I-PAK封装，便于在PCB板上进行可靠的机械和电气连接。其最大允许栅源电压（Vgs）为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。该MOSFET的结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为60W（Tc），结合其低热阻封装，能够有效管理工作中产生的热量，确保在严苛环境下的稳定运行。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高电流、低导通电阻和快速开关的优异组合，STD50NH02L-1非常适用于对效率和功率密度有较高要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、同步整流以及各类负载开关等应用场景。尤其是在服务器电源、工业自动化设备和汽车辅助系统等领域的低压大电流开关电路中，它能有效提升整体能效和可靠性。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择替代型号时，建议参考制造商的最新产品线。

• 型号:STD50NH02L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD50NH02L-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通损耗。

其关键参数包括24V的漏源电压（Vdss）和高达50A（Tc）的连续漏极电流（Id）。在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为10.5毫欧（@25A），配合24nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg），实现了高效率与快速开关特性的理想平衡。这些特性使其非常适合用于要求严苛的功率开关应用。