STU6N95K5

作为ST意法半导体SuperMESH5产品系列中的一员，STU6N95K5是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET。该器件基于先进的平面工艺构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其950V的漏源击穿电压（Vdss）为系统提供了宽裕的安全工作裕量，使其能够从容应对工业环境中常见的电压尖峰和开关瞬态，确保了长期运行的可靠性。

在功能特性方面，该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值表现优异，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，从而提升开关频率并减少电磁干扰（EMI）。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力，而高达90W（Tc）的功率耗散能力则确保了其在高温环境下的稳定输出。

在电气参数上，STU6N95K5在25°C壳温下连续漏极电流（Id）额定值为9A，结合其低至1.25欧姆（@3A，10V）的导通电阻，使其能够高效处理中等功率等级的电流。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）适应了严苛的工业环境要求。该器件采用标准的通孔I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于在功率板上进行安装和热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息与供货服务。

凭借其高压、高效和坚固的特性，该MOSFET非常适合应用于对可靠性和效率有高要求的领域。其主要应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主功率变换拓扑、UPS（不间断电源）系统的功率转换模块，以及照明驱动和电机控制等需要高压开关的场合。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强系统在恶劣电网条件下的鲁棒性。

• 型号:STU6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU6N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5技术平台。该器件设计用于提供出色的高压开关性能，其核心优势在于高达950V的漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻（Rds(on)）特性，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗，提升整体系统效率。

该MOSFET在10V栅极驱动下具备优异的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。其额定连续漏极电流（Id）为9A（Tc），最大功耗达90W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。采用通孔I-PAK封装，便于功率散热设计，是工业电源、照明驱动和电机控制等高压应用的理想选择。