STF8NK100Z

STF8NK100Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220FP通孔封装，其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在维持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的关键权衡关系，从而实现了更优的开关性能与传导损耗平衡。

该器件具备1000V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够在严苛的高压环境下稳定工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为6.5A，结合低至1.85欧姆的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为3.15A，10V），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了可靠的开启与关断控制。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在102nC，输入电容（Ciss）为2180pF，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路设计，并支持更高频率的开关操作。

在电气参数方面，STF8NK100Z展现了宽泛的工作适应性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，提供了充足的驱动安全裕量。器件的最大功率耗散能力为40W（Tc），结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，保证了其在工业级应用环境下的长期可靠性。TO-220FP封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于安装与热管理。对于需要可靠高压开关解决方案的设计工程师，可以通过官方授权的ST代理商获取完整的技术资料、样品及供应支持。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STF8NK100Z非常适用于对效率和耐压有较高要求的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与控制的逆变器桥臂、UPS（不间断电源）系统以及各类照明镇流器的功率开关部分。其稳健的性能使其成为中高功率离线式电源和工业动力系统中功率开关元件的优选之一。

• 型号:STF8NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF8NK100Z是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-220FP。该器件核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）额定值与1.85欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的良好结合，在高压应用中能有效降低传导损耗。

其电气特性包括6.5A的连续漏极电流（Tc）、102nC的栅极电荷（Qg）以及2180pF的输入电容（Ciss），这些参数共同优化了开关性能，有助于提升系统效率并简化驱动设计。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，功率耗散达40W（Tc），确保了在工业级功率转换应用中的高可靠性与鲁棒性。