STW54NK30Z

STW54NK30Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。TO-247-3封装提供了坚固的机械结构和优异的散热能力，确保器件在高功率耗散下的可靠运行。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能。高达300V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够稳定工作在高压离线式电源拓扑中。在壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）额定值高达54A，展现了强大的电流处理能力。更关键的是，其在10V栅极驱动电压、27A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值极低，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。对于需要技术支持与供应的用户，可以联系ST中国代理获取进一步信息。

在接口与参数方面，4.5V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了与标准逻辑电平或PWM控制器良好的兼容性，而±30V的最大栅源电压则为驱动电路提供了充足的安全裕量。其输入电容（Ciss）等动态参数经过精心设计，以平衡开关速度和电磁干扰（EMI）性能。器件标称的最大功率耗散为300W（Tc），结合宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C），使其能够适应苛刻的环境条件。这些参数共同定义了一个高效、鲁棒的功率开关解决方案。

凭借上述技术特点，STW54NK30Z非常适合应用于对效率和可靠性有高要求的功率电子领域。其主要应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关、大功率音频放大器的输出级、电机驱动与控制系统中的逆变桥臂，以及不同断电源（UPS）和焊接设备中的高频功率转换部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要价值。

• 型号:STW54NK30Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 54A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 27A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:221 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4960 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW54NK30Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心设计旨在提供优异的功率处理能力与开关效率。

其关键电气参数包括300V的漏源电压（Vdss）和高达54A（Tc）的连续漏极电流（Id）额定值，能够胜任高压大电流的开关任务。器件在10V栅极驱动下具有极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于提升开关速度并减少驱动损耗，使其成为高效率功率转换应用的理想选择。