STB21NM50N

STB21NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于第二代MDmesh技术，该技术通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电容参数，从而在开关性能与传导损耗之间取得了卓越的折衷，特别适用于要求高效率的功率转换应用。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）承载能力，为其在高电压环境下稳定工作提供了坚实基础。其导通电阻在10V驱动电压、9A电流条件下典型值仅为190毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体能效。同时，器件拥有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），分别典型值为65nC @10V和1950pF @25V，这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，开关速度更快，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在封装与可靠性方面，STB21NM50N采用经典的表面贴装D2PAK（TO-263）封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达140W，结温（Tj）最高支持150°C，确保了器件在高温高功率场景下的长期运行可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有的电源设计方案中，它依然是一个经过验证的高性能选择。对于需要此类高性能功率开关器件的工程师，可以通过专业的ST芯片代理渠道咨询库存或替代方案信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，STB21NM50N非常适合于开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器、电机驱动控制器以及不间断电源（UPS）等应用领域。在这些场景中，它能够有效处理高电压大电流的开关动作，是实现高效、紧凑型功率转换系统的关键元件之一。

• 型号:STB21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB21NM50N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB21NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的硬件基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至190毫欧（@9A），有效降低了通态损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）分别典型为65nC和1950pF，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率的开关电源、电机驱动及功率转换系统的理想选择。