STH110N8F7-2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STH110N8F7-2是一款基于先进STripFET F7技术平台开发的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其H2PAK-2封装不仅提供了卓越的功率处理能力和热性能，还兼顾了表面贴装（SMT）应用对PCB空间的高效利用，使得该芯片在紧凑型高功率密度设计中成为可靠选择。

在电气特性方面，STH110N8F7-2具备80V的漏源击穿电压（Vdss）和高达110A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力。其最突出的性能指标之一是极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、55A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为6.6毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，该器件的栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，为高频开关应用提供了良好的基础。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了工业应用的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，增强了抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了在噪声环境下的稳定关断。器件支持-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，最大功率耗散为170W（Tc），配合H2PAK-2封装优异的散热特性，使其能够在严苛的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和稳健的封装，STH110N8F7-2非常适用于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。典型应用包括工业电机驱动、伺服控制系统、大电流DC-DC转换器（如同步整流、OR-ing功能）、不间断电源（UPS）以及电动工具和轻型电动汽车中的电源管理模块。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并增强整体可靠性。

• 制造商产品型号：STH110N8F7-2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：110A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 55A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3200pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：170W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
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STH110N8F7-2是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装。该器件核心优势在于其80V/110A的额定值下实现了极低的导通电阻（6.6mΩ @ 55A, 10V），这显著降低了导通状态下的功率损耗。

其优化的栅极电荷（45nC @ 10V）与输入电容特性，有助于实现高效的开关性能，减少开关损耗。结合170W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至175°C的宽工作结温范围，该MOSFET为高功率密度和高可靠性应用提供了坚实的硬件基础。