STO36N60M6

STO36N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单颗芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺改进，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和30A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的可靠性基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、15A电流条件下典型值仅为99毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的热损耗和更高的能效。此外，器件拥有较低的栅极电荷（Qg，最大值44.3nC @ 10V）和输入电容，这有助于减少开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，从而降低开关损耗并允许更高频率的运行。

在电气参数方面，STO36N60M6的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.75V，确保了良好的噪声抑制能力和与主流控制器的兼容性。其栅源电压可承受±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度。器件采用TOLL（HV）表面贴装封装，这种封装具有优异的热性能和低寄生电感，其最大功率耗散能力可达230W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取正品器件和技术支持。

凭借其高性能指标，该器件非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的开关电源（SMPS）初级侧、功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等能量转换系统。在这些应用中，它能有效提升系统效率，减小散热器尺寸，最终帮助设计者实现更紧凑、更可靠的电源解决方案。

• 型号:STO36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
• 想获取STO36N60M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STO36N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TOLL（HV）表面贴装封装，核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和30A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了基础保障。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至99毫欧（@15A），有效降低了导通损耗。同时，最大44.3nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及光伏逆变器等系统效率与功率密度的理想选择。