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L6743D的图片

L6743D

ST图标
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,L6743D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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L6743D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST意法半导体推出的L6743D是一款专为高效功率转换设计的半桥栅极驱动器集成电路。该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装,其核心架构围绕两个独立的同步通道构建,能够精准驱动两个N沟道MOSFET,构成高效的半桥拓扑结构。这种设计有效简化了外部电路,同时确保了高低侧开关的精确时序控制,对于需要高频率开关和低损耗的应用至关重要。

在功能实现上,L6743D集成了多项优化特性以提升系统可靠性。其工作电压范围覆盖5V至12V,兼容常见的逻辑电平,输入逻辑阈值(VIL=0.8V, VIH=2V)设计使其能有效抑制噪声干扰,确保控制信号的稳定。器件具备高达2A的峰值灌电流驱动能力,可以快速对MOSFET栅极电容进行充放电,从而显著降低开关损耗并提升整体效率。其自举电路设计支持高压侧驱动,最大自举电压可达41V,为驱动高边开关提供了灵活且可靠的解决方案。对于需要稳定供应链的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取相关技术支持和产品信息。

该芯片的接口与电气参数针对工业级环境进行了优化。其输入采用非反相逻辑,便于与微控制器或PWM信号源直接连接。尽管该型号目前已处于停产状态,但其在0°C至125°C的宽结温范围内稳定工作的特性,以及表面贴装的安装方式,使其曾广泛应用于对空间和温度有严苛要求的场景。其稳健的设计在当时代表了栅极驱动器领域的一种高性价比解决方案。

基于其半桥驱动配置与强大的驱动能力,L6743D的理想应用场景主要集中在中小功率的DC-DC转换领域,例如通信设备的电源模块、电机驱动控制板中的预驱级,以及各类开关电源的功率级。它能够有效管理MOSFET的开关过程,在提升能效和功率密度的同时,保障了系统在复杂电磁环境下的长期运行稳定性。

  • 型号:L6743D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:5V ~ 12V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,-
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):41 V
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取L6743D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6743D是STMicroelectronics推出的一款半桥栅极驱动器IC,采用8-SOIC封装,专用于驱动N沟道MOSFET。该器件集成了两个同步驱动通道,工作电压范围为5V至12V,逻辑兼容性强,并具备2A的峰值灌电流输出能力,可实现功率开关器件的快速、高效切换。

其核心优势在于集成了自举二极管电路,支持高达41V的高压侧驱动电压,简化了半桥或同步整流拓扑的电源设计。器件设计可在0°C至125°C的结温范围内稳定工作,采用表面贴装形式,适用于对空间和可靠性有要求的紧凑型电源管理应用。

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