STL21N65M5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL21N65M5是一款采用先进MDmesh V技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了出色的开关特性，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的功能特点。其650V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和浪涌冲击。在导通性能方面，在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻低至179mΩ（测试条件：I_D=8.5A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极总电荷（Q_g）典型值仅为50nC（@10V），结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，简化栅极驱动设计。

在接口与关键参数上，STL21N65M5在25°C壳温下可连续通过高达17A的漏极电流，其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了宽裕的驱动安全余量。器件采用热增强型表面贴装PowerFlat HV（8x8）封装，该封装具有极低的热阻和出色的散热能力，允许器件在高达150°C的结温下工作，最大功耗在特定条件下可达125W（T_C）。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电压、低损耗和坚固的封装特性，STL21N65M5非常适合于要求严苛的功率应用场景。其主要应用领域包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与逆变器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器和焊接设备等高功率密度、高效率的电子系统。在这些场景中，它能够有效提升系统能效等级，并增强整体可靠性。

• 型号:STL21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:179 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL21N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（V_DSS）与极低的导通电阻特性，在10V V_GS下R_DS(on)最大值仅为179mΩ，这确保了在高功率应用中具有优异的传导效率和更少的热量产生。

此外，其低至50nC的栅极电荷（Q_g）有助于实现快速开关，降低开关损耗。器件采用热性能卓越的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达17A的连续漏极电流和150°C的工作结温，为高功率密度设计提供了可靠的解决方案。