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M95080-WMN6

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M95080-WMN6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95080-WMN6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95080-WMN6是ST意法半导体推出的一款基于串行外设接口(SPI)的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)技术构建,其核心架构围绕一个1K x 8位的存储阵列组织,通过高效的串行通信协议与主控制器进行数据交换。其内部集成了地址锁存器、数据缓冲器以及控制逻辑,确保了在广泛的电压和温度范围内数据的可靠存储与快速访问。

该芯片的功能特点突出体现在其高性能与高可靠性上。它支持高达20MHz的时钟频率,能够实现快速的数据读写操作,显著提升系统整体响应速度。其工作电压范围宽达2.5V至5.5V,使其能够无缝兼容3.3V和5V逻辑系统,增强了设计的灵活性。芯片具备页写模式,允许在一次操作中连续写入最多32字节的数据,配合5ms的典型写周期时间,优化了数据存储效率。此外,器件内置了写保护控制机制,可通过软件指令或硬件写保护引脚(WP)来防止存储数据的意外篡改,保障了关键参数的安全性。

在接口与关键参数方面,M95080-WMN6采用标准的SPI接口,支持模式0(0,0)和模式3(1,1),提供了简洁的四线制连接方式。其封装为8引脚SOIC,符合表面贴装工艺要求,便于在紧凑的PCB空间内集成。该器件在工业级温度范围(-40°C至85°C)内保证稳定运行,并具备优异的耐久性(可承受至少100万次擦写循环)和数据保持能力(数据保存期限超过40年)。这些特性使其成为需要频繁更新并长期保存配置信息、校准数据或事件日志的应用的理想选择。对于需要稳定供应的项目,可以通过专业的ST芯片代理获取相关产品与技术支持。

基于上述特性,M95080-WMN6广泛应用于各类嵌入式系统和电子设备中。典型应用场景包括工业控制模块中的参数存储、汽车电子中的里程与故障信息记录、智能电表的数据缓存、通信设备的配置存储以及消费类电子产品中的用户设置保存。其非易失特性确保在系统断电后关键信息不丢失,而SPI接口则简化了与主流微控制器的连接,降低了系统设计的复杂性。

  • 型号:M95080-WMN6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:20 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M95080-WMN6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M95080-WMN6是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器,采用SPI接口,时钟频率最高可达20MHz,支持高速数据读写。其宽电压供电范围(2.5V-5.5V)确保了与多种逻辑电平系统的兼容性,而工业级工作温度范围(-40°C至85°C)则满足了严苛环境下的应用需求。

该器件提供1K x 8位的存储结构,支持页写操作,典型写周期时间为5ms,具备高耐久性和长期数据保持能力。其8-SOIC表面贴装封装适合空间受限的PCB设计,适用于需要可靠存储配置参数、校准数据或事件日志的各类嵌入式系统。

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